ЭПИТАКСИЯ

Термин
эпитаксия
Термин на английском
epitaxy
Синонимы
Аббревиатуры
Связанные термины
гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно-лучевая, метод
Определение
ориентированный рост одного монокристалла на монокристаллической поверхности другого
Описание

Важное значение для получения эпитаксиальных слоев высокого кристаллического совершенства являются: чистота поверхности подложки, скорость нанесения материала и температура процесса.Рост эпитаксиальных пленок может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы, поэтому различают газофазную эпитаксию, жидкофазную эпитаксию, твердофазную эпитаксию и молекулярно-лучевую эпитаксию.
Монокристаллическая подложка задает параметры роста пленки, поэтому кристаллическая структура и ориентация эпитаксиальной пленки совпадает со структурой и ориентацией подложки. Это отличает эпитаксиальный рост от роста тонких пленок, когда наблюдается рост поликристаллических или аморфных пленок даже на монокристаллических подложках. Если состав пленки и подложки совпадают, процесс называют гомоэпитаксией, если нет, то гетероэпитаксией.

Эпитаксиальный рост широко используется в нанотехнологиях и производстве полупроводниковых приборов для создания слоев полупроводниковых материалов с высоким кристаллическим качеством, таких как кремний-германий, нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия.

Авторы
  • Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.
  • Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.
Ссылки
  1. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и до-полненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.
Иллюстрации
Теги
Разделы
Эпитаксиальные слои
Физические методы (лазерные, электронно-лучевые, ионно-плазменные) осаждения слоев нанометровых толщин
(Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО»)


Энциклопедический словарь нанотехнологий 

ЭПИТАКСИЯ ГАЗОФАЗНАЯ →← ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ

T: 0.107037574 M: 3 D: 3